• Chapitre 1. Le transistor MOS
  1. Le transistor NMOS et PMOS à enrichissement : structure et fonctionnement.
  2. Le transistor NMOS et PMOS à déplétion : structure et fonctionnement.
  3.  Modèle du transistor MOS : modèle linéaire, modèle quadratique.
  4.  Régimes de fonctionnement.
  5.  Effet de substrat, effet de champ électrique, effet de la modulation du canal.
  6.  Modèle Pspice du transistor MOS.
  7.  Méthode de simulation des caractéristiques d’un transistor MOS sous Pspice.
• Chapitre 2.  Les circuits analogiques de base à technologie MOS
  1. Miroirs de courant : analyse des différents types de miroirs de courant.
  2. Circuit de décalage.
  3.  Amplificateur à source commune.
  4.  Amplificateur différentiel.
  5.  Amplificateur opérationnel
• Chapitre 3. Technologie et dessin de masque
  1. Procédé de fabrication en technologie MOS.
  2. Règles de dessin.
  3. Dessin symbolique.
  4. Dessin de masque d’une résistance et d’un transistor MOS.
  5. Dessin de masque d’un circuit analogique.

TP Conception des circuits intégrés analogiques MOS

         Est exposée  ci-dessous une liste de TP répondant aux objectifs de la matière. Les équipes de formation sont priées de réaliser au moins 4 TP(voire plus, si cela est possible) en fonction de la disponibilité des logiciels. Par ailleurs, il est permis  de rajouter ou remplacer quelques TP de la liste jointe par d’autres TP en relation avec la matière.

Précision :

Tout changement apporté à cette liste doit être signalé au CPND de manière à en faire profiter les autres établissements.

• TP1 : Initiation au logiciel Pspice : Simulation et analyse des caractéristiques d’un transistor MOS.
• TP2 : Simulation et analyse d’un amplificateur à source commune.
• TP3 : Simulation et analyse d’une source de courant.
• TP4 : Simulation et analyse d’un amplificateur différentiel.
• TP5 : Initiation au logiciel Microwind : Dessin de masques : (résistance, transistor MOS, amplificateurdifférentiel).