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Physique des composants semi-conducteurs 2

 

  • Chapitre 1. Transistors bipolaires
    1. Effet transistor
    2. Equations d'Ebers-Moll
      • Courants de porteurs minoritaires dans l'émetteur et le collecteur
      • Courant de porteurs minoritaires dans la base
      • Courants d'émetteur et de collecteur
    3. Différents types de profil de dopage
      • Transistor à dopages homogènes
      • Transistor drift
    4. Effet Early
    5. Modèle dynamique et étages à transistor
      • Modèle dynamique
      • Montage base commune
      • Montage émetteur commun
      • Montage collecteur commun
    6. Sources de bruit dans un transistor
      • Bruit de grenaille d’une diode
      • Bruit de grenaille du bipolaire
  • Chapitre 2. Structure Métal-Isolant Semi-conducteur (MIS)
    1. Diagramme énergétique
      • Structure métal-vide-semi-conducteur
      • Structure Métal-Isolant-Semi-conducteur – MIS
    2. Potentiels de contact
    3. Le modèle électrique de base
      • Description phénoménologique
      • Modèle électrique
    4. Le régime de forte inversion
    5. Le régime de faible inversion.
  • · Chapitre 3. Hétérojonctions et transistor à hétérojonction
    1. Diagramme de bandes d'énergie
      • Diagramme énergétique loin de la jonction
      • Etats d'interface
      • Diagramme énergétique au voisinage de la jonction
    2. Hétérojonction à l'équilibre thermodynamique
    3. Hétérojonction polarisée
      • Modèle d'émission thermoélectronique
      • Modèle de diffusion
      • Courant tunnel -courant de recombinaison
    4. Transistor à hétérojonction – HBT
      • Principe de fonctionnement
      • Courants d'émetteur et de collecteur
  • Chapitre 4. Transistor MESFET
    1. Transistor à effet de champ à barrière de Schottky MESFET
      • Structure et spécificité
      • Courant de drain
      • Tension de saturation - Courant de saturation
      • Transconductance
      • Fréquence de coupure du transistor
    2. Transistor MESFET-GaAs
      • Régime linéaire
      • Régime sous-linéaire
      • Régime de saturation
  •  Chapitre 5. Transistor MOSFET
    1. Principe de base et historique
    2. Modification de la structure MOS
    3. Le modèle canal long
      • Le régime de forte inversion
      • Le régime de faible inversion
      • La mobilité effective et ses effets
      • Le MOS canal p
    4. Le modèle canal court
      • Effet de diminution de la longueur de canal
      • Effet de saturation de la vitesse
      • Effet de diminution du seuil effectif
      • Traitement analytique du canal court
    5. Le fonctionnement dynamique du MOS
      • Régime quasi-statique
      • Régime dynamique
    6. Les modèles du transistor MOSFET
      • Rappels du modèle statique
      • Modèles petits signaux : généralités
      • Le MOS interne en basse fréquence
      • Le MOS interne à fréquence moyenne
      • Le modèle du MOS complet aux fréquences moyennes
      • Un résumé du modèle du MOS
    7. Le bruit du transistor MOS
      • Le bruit thermique du canal en forte inversion
      • Le bruit thermique du canal en faible inversion
      • Les autres sources de bruit
    8. Applications du MOSFET
      • Amplification
      • Porte logique : cas de l’inverseur
  • Chapitre 6. Composants optoélectroniques
    1. Interaction rayonnement – semi-conducteur
    2. Photo détecteurs
    3. Emetteurs de rayonnement à semi-conducteur
    4. Applications des composants optroniques