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Chapitre 1. Transistors bipolaires
- Effet transistor
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Equations d'Ebers-Moll
- Courants de porteurs minoritaires dans l'émetteur et le collecteur
- Courant de porteurs minoritaires dans la base
- Courants d'émetteur et de collecteur
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Différents types de profil de dopage
- Transistor à dopages homogènes
- Transistor drift
- Effet Early
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Modèle dynamique et étages à transistor
- Modèle dynamique
- Montage base commune
- Montage émetteur commun
- Montage collecteur commun
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Sources de bruit dans un transistor
- Bruit de grenaille d’une diode
- Bruit de grenaille du bipolaire
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Chapitre 2. Structure Métal-Isolant Semi-conducteur (MIS)
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Diagramme énergétique
- Structure métal-vide-semi-conducteur
- Structure Métal-Isolant-Semi-conducteur – MIS
- Potentiels de contact
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Le modèle électrique de base
- Description phénoménologique
- Modèle électrique
- Le régime de forte inversion
- Le régime de faible inversion.
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Diagramme énergétique
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· Chapitre 3. Hétérojonctions et transistor à hétérojonction
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Diagramme de bandes d'énergie
- Diagramme énergétique loin de la jonction
- Etats d'interface
- Diagramme énergétique au voisinage de la jonction
- Hétérojonction à l'équilibre thermodynamique
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Hétérojonction polarisée
- Modèle d'émission thermoélectronique
- Modèle de diffusion
- Courant tunnel -courant de recombinaison
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Transistor à hétérojonction – HBT
- Principe de fonctionnement
- Courants d'émetteur et de collecteur
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Diagramme de bandes d'énergie
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Chapitre 4. Transistor MESFET
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Transistor à effet de champ à barrière de Schottky MESFET
- Structure et spécificité
- Courant de drain
- Tension de saturation - Courant de saturation
- Transconductance
- Fréquence de coupure du transistor
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Transistor MESFET-GaAs
- Régime linéaire
- Régime sous-linéaire
- Régime de saturation
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Transistor à effet de champ à barrière de Schottky MESFET
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Chapitre 5. Transistor MOSFET
- Principe de base et historique
- Modification de la structure MOS
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Le modèle canal long
- Le régime de forte inversion
- Le régime de faible inversion
- La mobilité effective et ses effets
- Le MOS canal p
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Le modèle canal court
- Effet de diminution de la longueur de canal
- Effet de saturation de la vitesse
- Effet de diminution du seuil effectif
- Traitement analytique du canal court
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Le fonctionnement dynamique du MOS
- Régime quasi-statique
- Régime dynamique
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Les modèles du transistor MOSFET
- Rappels du modèle statique
- Modèles petits signaux : généralités
- Le MOS interne en basse fréquence
- Le MOS interne à fréquence moyenne
- Le modèle du MOS complet aux fréquences moyennes
- Un résumé du modèle du MOS
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Le bruit du transistor MOS
- Le bruit thermique du canal en forte inversion
- Le bruit thermique du canal en faible inversion
- Les autres sources de bruit
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Applications du MOSFET
- Amplification
- Porte logique : cas de l’inverseur
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Chapitre 6. Composants optoélectroniques
- Interaction rayonnement – semi-conducteur
- Photo détecteurs
- Emetteurs de rayonnement à semi-conducteur
- Applications des composants optroniques