Sont exposées ci-dessous deux listes de TP répondant aux objectifs de la matière. Les équipes de formation sont priées de choisir entre 2 et 4 TP (voire plus, si cela est possible) de chaque liste en
fonction de la disponibilité des équipements tant matériels que logiciels. Par ailleurs, il est permis derajouter ou remplacer quelques TP de la liste jointe par d’autres TP en relation avec la matière.
Précision :

Tout changement apporté à ces listes doit être signalé au CPND de manière à en faire profiter les autres établissements.

TP Caractérisation des dispositifs SC

• TP1 : Caractérisation électrique I(V) du contact ohmique d’une structure { SC sous environnement TCAD –ATLAS.
• TP2 : Caractérisation électrique de la méthode des quatre pointes d’une structure à SC sous environnement TCAD-ATLAS.
• TP3 : Caractérisation électrique I(V) du contact Schottky d’une structure { SC sous environnement TCAD –ATLAS.
• TP4 : Conception technologique de la capacité MIS au moyen du TCAD-ATHENA.
• TP5: Caractérisation C(V) de la structure MIS sous environnement TCAD-ATLAS (sous polarisationcontinue et alternative BF et HF).
• TP6 : Conception technologique et caractérisation électrique du transistor MESFET par TCAD- (ATHENA-ATLAS) : Exemple d’application des contacts ohmique et Schottky.

TP Dispositifs Photovoltaïques

• TP 0 : Simulation analytique avec PSPICE (diodes, BJT, MOS,…)
• TP 1 : Simulation numérique avec PC-1D de cellules photovoltaïques, photodiode, phototransistor)
• TP 2 : Simulation numérique avec AFORS-HET des hétérojonctions, surfacephotovoltage (ID-SPV, VDSPV, WD-SPV), quasisteady-state photo conductance (QSSPC), impédance (IMP, ADM, C-V, C-T, C-f) et photo-électro-luminescence (PEL)
• TP 3 : Caractérisation cellule solaire
• TP 4 : Optimisation des paramètres de sortie d'une cellule solaire à base de silicium monocristallin avec PC1D
• TP 5 : Caractérisation d'un module photovoltaïque